氧化鎵是新一代功率半導(dǎo)體和深紫外光電子半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度為4.9eV，遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于氮化鎵（3.3eV）、碳化硅（3.4eV）和硅（1.1eV）的禁帶寬度。在功率半導(dǎo)體方面，氧化鎵的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是硅的20多倍，是碳化硅和氮化家的2倍多，氧化鎵的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度可達(dá)8MV/cm。由于氧化鎵在諸多領(lǐng)域的重要應(yīng)用價(jià)值,氧化鎵材料和器件的研究與應(yīng)用，已成為當(dāng)前研究與開(kāi)發(fā)的熱點(diǎn)和重點(diǎn)。為此，我們提供2英寸的Ga2O3單晶襯底。

標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)參數(shù)：

備注：如需要其它晶面和尺寸的Ga2O3單晶襯底，請(qǐng)與我們聯(lián)系。