氧化鎵是新一代功率半導(dǎo)體和深紫外光電子半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度為4.9eV，遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于氮化鎵（3.3eV）、碳化硅（3.4eV）和硅（1.1eV）的禁帶寬度。在功率半導(dǎo)體方面，氧化鎵的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是硅的20多倍，是碳化硅和氮化家的2倍多，氧化鎵的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度可達(dá)8MV/cm。由于氧化鎵在諸多領(lǐng)域的重要應(yīng)用價(jià)值,氧化鎵材料和器件的研究與應(yīng)用，已成為當(dāng)前研究與開發(fā)的熱點(diǎn)和重點(diǎn)。為此，我們提供(AlxGa1-x)2O3外延片和相應(yīng)的的Ga2O3單晶襯底。
主要參數(shù)指標(biāo)：
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外延層
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參數(shù)指標(biāo)
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Al的摩爾分?jǐn)?shù)
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x≦0.23
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摻雜劑
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Si (n-型)
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摻雜濃度
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≦1x1018 cm-3
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外延層厚度
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≦60 nm
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外延片襯底
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參數(shù)指標(biāo)
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摻雜劑
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Sn (n-型)
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Fe(半絕緣)
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摻雜濃度
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1~9x1018 cm-3
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-
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電阻率
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-
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≧1010 Ωcm
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晶面
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(010)
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尺寸
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10x15 mm2
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厚度
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0.5 mm
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XRD FWHM
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≦150 arcsec
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偏離角度
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0°±1°
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