氧化鎵是新一代功率半導(dǎo)體和深紫外光電子半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度為4.9eV，遠遠大于氮化鎵（3.3eV）、碳化硅（3.4eV）和硅（1.1eV）的禁帶寬度。在功率半導(dǎo)體方面，氧化鎵的擊穿電場強度是硅的20多倍，是碳化硅和氮化家的2倍多，氧化鎵的擊穿電場強度可達8MV/cm。由于氧化鎵在諸多領(lǐng)域的重要應(yīng)用價值,氧化鎵材料和器件的研究與應(yīng)用，已成為當(dāng)前研究與開發(fā)的熱點和重點。為此，我們提供2英寸Ga2O3外延片和2英寸的Ga2O3單晶襯底。
主要參數(shù)指標(biāo)：
|
外延層
|
參數(shù)指標(biāo)
|
|
摻雜劑
|
Si (n-型)
|
|
摻雜濃度
|
可指定在2x1016 和9x1016 cm-3之間
|
|
外延層厚度
|
指定在5和10μm之間
|
|
外延片襯底
|
參數(shù)指標(biāo)
|
|
摻雜劑
|
Sn (n-型)
|
|
摻雜濃度
|
1~9x1018 cm-3
|
|
晶面
|
(001)
|
|
尺寸
|
Φ2 英寸
|
|
厚度
|
0.65 mm
|
|
XRD FWHM
|
≦350 arcsec
|
|
偏離角度
|
0°±1°
|
|
