產(chǎn)品用途：通過不同激光波長在半導(dǎo)體中的吸收距離和微區(qū)光電轉(zhuǎn)換，可以表征

光電子器件及太陽能電池微區(qū)的短路電流分布、表層缺陷、反射率等特性參數(shù)，

并通過橫向掃描（Mapping）形成圖像，以反應(yīng)各種參數(shù)的平面均勻性，尤其是

晶界和位錯(cuò)分布， 為光電子器件及太陽能電池的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和工藝改進(jìn)提供參考依

據(jù)。設(shè)備可應(yīng)用于太陽能電池研究，GaAs、InP、GaN 光電子器件的研究。該設(shè)

備克服了大面積光照下I-V 測(cè)試與單點(diǎn)光譜測(cè)試的不對(duì)應(yīng)性和不準(zhǔn)確性，大大提

高了光電子器件診斷精度。

產(chǎn)品指標(biāo)： 

（1） 樣品尺寸：Max 200×160 mm2，Min 1×1 mm2

（2） 激光波長：532 和 980nm，也可根據(jù)材料的光吸收系數(shù)而自行選配

（3） 激光光斑：50μm/100μm 可選

（4） 測(cè)試電流范圍：1 μA–1 mA

（5） 測(cè)試模式：LBIC，LBIV，內(nèi)外量子效率，反射率，擴(kuò)散長度，均為

mapping成像

（6） 掃描步長：0.05、0.1、0.2、0.5、1、2、4 mm（可根據(jù)實(shí)際需要自定

義）

（7） 掃描速度：15 points/s

（8） 可進(jìn)行單點(diǎn)或連續(xù)掃描（mapping）測(cè)試