通常，石墨烯大多是在金屬表面上用CVD技術(shù)生長的，在微電子或電子器件的應(yīng)用中不得不將其從導(dǎo)電的金屬上用化學(xué)方法剝離，將其置于分離的襯底上再應(yīng)用。這在器件的制備上存在很大的局限性，而在半絕緣(高阻)SiC襯底上生長的石墨烯可以直接用來制備電子器件，如高頻電子器件、光電子器件及量子器件等，尤其是在SiC襯底上用CVD技術(shù)生長的石墨烯與CMOS工藝兼容，因而無需進(jìn)行襯底轉(zhuǎn)移，即可應(yīng)用于電子器件研制。
在4H和6H型SiC襯底上生長單層/雙層和三層石墨烯
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晶型 |
晶體性質(zhì) |
石墨烯生長面 |
石墨烯 |
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半絕緣型 |
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4H-SiC的C面 |
P型或N型 |
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4H-SiC |
導(dǎo)電型 |
4H-SiC的Si面 |
4H-SiC的C面 |
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6H-SiC |
半絕緣型 |
6H-SiC的Si面 |
6H-SiC的C面 |
P型或N型 |
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6H-SiC |
導(dǎo)電型 |
6H-SiC的Si面 |
6H-SiC的C面 |
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標(biāo)準(zhǔn)尺寸 |
10mmx10mm，15mmx15mm，2英寸x 2英寸，4英寸x 4英寸 |
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標(biāo)準(zhǔn)尺寸 |
φ2英寸，φ3英寸，φ4英寸，φ5英寸，φ6英寸 |
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定制尺寸 |
根據(jù)客戶要求 |
● 覆蓋率：100%
● 石墨烯層數(shù)：1層，2層，3層
● 單層厚度：0.345 nm
● 載流子密度：N型5x1011-1.5x1013cm-2，P型1x1013-1.5x1013cm-2
● N型遷移率：3000 cm2/Vs
● P型遷移率：可達(dá)6500乃至8000 cm 2/Vs(溫度：300K)
應(yīng)用
● 高頻電子器件
● 光電子器件
● 量子器件
● 自旋電子學(xué)
● 光電探測器
● 新碳電子學(xué)
● 石墨烯半導(dǎo)體芯片
● 石墨烯計算機存儲器
● 生物技術(shù)
● 生物傳感器
● 氣體傳感器
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